ABB IGBT-Modul 5SHX0360D0001 Gate-Commutated-Thyristor

ABB 5SHX0360D0001 ist ein leistungsstarker integrierter Gate-Commutated Thyristor (IGCT)-Modul, der zur ABB 5SHX-Serie geh?rt. Er ist speziell für raue Hochleistungsanwendungsszenarien entwickelt und integriert geschickt die starke Stromtragf?higkeit von Thyristoren mit den schnellen Schaltcharakteristiken von Transistoren. Er spielt eine Schlüsselrolle im Bereich der Leistungselektronik. Dieser Modul wird in verschiedenen Branchen wie industrieller Automatisierung, Stromversorgungssystemen, Maschinenbau, Metallurgie, Bergbau und Verkehr weit verbreitet eingesetzt. In der industriellen Automatisierung wird er oft in Bereichen wie Motorensteuerung und Lichtsteuerung verwendet; in Stromversorgungssystemen übernimmt er haupts?chlich die Aufgabe der Blindleistungskompensation, um die Betriebseffizienz und Stabilit?t der Stromversorgungssysteme zu verbessern; in Hochspannungsverteilungsanlagen bietet er als Kernkomponente überstrom-, Kurzschluss- und Erdschlusschutz für das System und ist eine wichtige Ausrüstung zur Gew?hrleistung einer stabilen Stromversorgung.

Strukturell integriert der 5SHX0360D0001 einen GTO-Chip, eine antiparallele Diode und eine Gate-Treiberschaltung und ist extern auf niederinduktive Weise mit dem Gate-Treiber verbunden. Wenn der Modul eingeschaltet ist, ?hnelt sein Betriebsmodus dem eines Thyristors. Durch einen Positivrückkopplungsmechanismus wird eine effiziente übertragung von gro?en Str?men realisiert, was die Eigenschaften einer starken Stromtragf?higkeit und eines geringen Einschaltspannungsabfalls zeigt. Beim Abschaltvorgang wird die pn-übergang zwischen dem IGCT-Gate und der Kathode vorzeitig in Reverse-Bias geschaltet und tritt aus dem Betrieb aus. Das gesamte Ger?t wechselt in den Transistor-Betriebsmodus. Genauer gesagt, indem der in Serie zur Kathode geschaltete Schalter (normalerweise ein MOSFET) eingeschaltet wird, wird die P-Basis n-Emitter in Reverse-Bias geschaltet, wodurch die Kathodeninjektion schnell gestoppt wird und der Anodenstrom in kurzer Zeit (normalerweise innerhalb von 1μs) in den Gate-Strom umgewandelt wird. Dadurch wird der GTO in einen PNP-Transistor mit einer kontaktlosen Basisregion transformiert, was den Kathoden-Emitter-Verschmierungseffekt beseitigt und den maximalen Abschaltstrom weit über den Nennstrom herk?mmlicher GTOs hinaus erh?ht. Darüber hinaus kann, da der IGCT bei einer Verst?rkung nahe 1 abschaltet, die Schutz-Snubber-Schaltung weggelassen werden.

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• Nennspannung: Im Allgemeinen 2600V (kann in verschiedenen Anwendungsszenarien und Versionen variieren), mit ausgezeichneter Hochspannungsfestigkeit, die die Anwendungsanforderungen von Mittel- und Hochspannungs-Stromversorgungssystemen erfüllt.

• Nennstrom: Bis zu 2645A, und einige Daten zeigen, dass er bis zu 4500A erreichen kann. Seine starke Stromtragf?higkeit erm?glicht es ihm, den Betriebsanforderungen von Hochleistungsger?ten zu entsprechen.

• Spitzen-Forward-Strom: Ungef?hr 4000A, was die sichere und stabile Funktion des Moduls beim Umgang mit momentanen Hochstromst??en gew?hrleisten kann.

• Einschaltspannungsabfall: Normalerweise 2.5V. Der niedrige Einschaltspannungsabfall tr?gt dazu bei, den Energieverlust zu reduzieren und die Gesamteffizienz des Systems zu verbessern.

• Gate-Triggerstrom: Etwa 0.5A, und nur ein kleiner Triggerstrom ist erforderlich, um die Einschaltsteuerung des Moduls zu realisieren.

• Betriebstemperaturbereich: -40℃ bis +85℃; Lagerungstemperaturbereich: -40℃ bis +125℃. Der breite Temperaturanpassungsbereich erm?glicht es ihm, unter verschiedenen Umgebungstemperaturen normal zu arbeiten.

• Schutzgrad: üblicherweise IP20, der dem Modul einen gewissen Schutz bietet, um das Eindringen von Fremdk?rpern zu verhindern.

• Kühlmethode: Es gibt natürliche Kühlung, Wasserkühlung usw., die je nach tats?chlichen Anwendungsszenarien und W?rmeabfuhranforderungen flexibel ausgew?hlt werden k?nnen.

• Gesamtabmessungen: Ungef?hr 450mm in der L?nge, 260mm in der Breite und 260mm in der H?he. Der Modul hat ein kompaktes strukturelles Design, das die Installation und Anordnung in verschiedenen Ger?ten erleichtert.

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• Schnelle Schaltleistung: Er hat eine extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit und kann Ein- und Ausschaltvorg?nge in sehr kurzer Zeit durchführen, um die Anforderungen von Hochfrequenzanwendungsszenarien zu erfüllen und die Leistungsumwandlungseffizienz erheblich zu verbessern. Beispielsweise zeigt er in Frequenzumrichtern mit extrem hohen Ansprechgeschwindigkeitsanforderungen ausgezeichnete Leistung.

• Hochspannungs- und Hochstromverarbeitungskapazit?t: Er kann Hochspannungen und gro?e Str?me ertragen und ist für komplexe Hochspannungs- und Hochleistungs-Elektroumgebungen geeignet, wie z. B. in Hochspannungs-Gleichstromübertragungen und gro?en industriellen Motorenantrieben, um die stabile Funktion des Systems zu gew?hrleisten.

• Geringer Einschaltspannungsabfall: Der geringe Spannungsabfall beim Einschalten reduziert effektiv den Leistungsverlust, verbessert die Energieausnutzungseffizienz und kann die Systemenergieverbrauchskosten w?hrend des Langzeitbetriebs senken.

• Hohe Zuverl?ssigkeit: Durch die Verwendung fortschrittlicher Verpackungstechnologie und hochwertiger Materialien ist der Modul robust und langlebig und kann in rauen industriellen Umgebungen (z. B. bei hoher Temperatur, hoher Luftfeuchtigkeit und starker elektromagnetischer St?rung) stabil arbeiten, was die Ausfallraten und die Wartungsfrequenz der Ger?te reduziert.

• Gute Kompatibilit?t: Er kann gut an verschiedene Stromversorgungssystemausrüstungen und verschiedene Schaltungstopologien angepasst werden. Ob es sich um ein traditionelles Stromversorgungssystem oder ein neues verteiltes Energieeinspeisesystem handelt, es kann problemlos integriert und zusammenarbeiten.