ABB IGBT 3BHE024415R0101 Thyristor-Modul

ABB 3BHE024415R0101 ist ein leistungsstarkes Integrated Gate-Commutated Thyristor (IGCT)-Modul, das zur ABB 5SHX-Serie geh?rt. Es ist speziell für anspruchsvolle Hochleistungsanwendungen konzipiert und integriert geschickt die starke Stromtragf?higkeit von Thyristoren mit den schnellen Schaltcharakteristiken von Transistoren. Es spielt eine Schlüsselrolle auf dem Gebiet der Leistungselektronik. Dieses Modul wird in verschiedenen Branchen wie industrieller Automatisierung, Energiesystemen, Maschinenbau, Metallurgie, Bergbau und Verkehr eingesetzt. In der industriellen Automatisierung wird es h?ufig in Bereichen wie Motorensteuerung und Lichtsteuerung verwendet; in Energiesystemen übernimmt es haupts?chlich die Aufgabe der Blindleistungskompensation, um die Betriebseffizienz und Stabilit?t der Energiesysteme zu verbessern; in Hochspannungsverteilungsnetzen bietet es als Kernkomponente überstrom-, Kurzschluss- und Erdschlusschutz für das System und ist eine wichtige Ausrüstung zur Gew?hrleistung einer stabilen Stromversorgung.

Aufbauend auf der Struktur integriert das 3BHE024415R0101 einen GTO-Chip, eine antiparallele Diode und eine Gate-Treiberschaltung und ist extern auf niederinduktive Weise mit dem Gate-Treiber verbunden. Wenn das Modul eingeschaltet ist, ?hnelt sein Betriebsmodus dem eines Thyristors. Es erm?glicht die effiziente übertragung von gro?en Str?men durch einen Positivrückkopplungsmechanismus und zeigt die Eigenschaften einer starken Stromtragf?higkeit und eines geringen Durchlassspannungsabfalls. Beim Abschaltvorgang wird die pn-Sperrschicht zwischen IGCT-Gate und Kathode vorzeitig in Rückw?rtsrichtung vorgespannt und tritt aus dem Betrieb aus, und das gesamte Ger?t wechselt in den Transistorbetriebsmodus. Genauer gesagt, indem der in Reihe mit der Kathode geschaltete Schalter (gew?hnlich ein MOSFET) eingeschaltet wird, wird die P-Basis n-Emitter in Rückw?rtsrichtung vorgespannt, wodurch die Kathodeninjektion schnell gestoppt wird und der Anodenstrom in kurzer Zeit (gew?hnlich innerhalb von 1μs) in den Gate-Strom umgewandelt wird. Dadurch wird der GTO in einen PNP-Transistor mit einem kontaktlosen Basisdiffusionsgebiet umgewandelt, wodurch der Effekt der Kathodenemitterverengung beseitigt wird und der maximale Abschaltstrom weit über den Nennstrom herk?mmlicher GTOs hinausgeht. Darüber hinaus kann, da der IGCT bei einer Verst?rkung nahe 1 abschaltet, die Schutzsperrschaltung weggelassen werden.

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• Nennspannung: Normalerweise 2600V (kann in verschiedenen Anwendungsf?llen und Versionen variieren), mit ausgezeichneter Hochspannungsfestigkeit, die die Anwendungsanforderungen von Mittel- und Hochspannungsenergiesystemen erfüllt.

• Nennstrom: Bis zu 2645A, und einige Daten zeigen, dass es bis zu 4500A erreichen kann. Seine starke Stromtragf?higkeit erm?glicht es ihm, die Betriebsanforderungen von Hochleistungsger?ten zu erfüllen.

• Spitzenvorw?rtsstrom: Etwa 4000A, was die sichere und stabile Funktion des Moduls beim Umgang mit momentanen Hochstromst??en gew?hrleisten kann.

• Durchlassspannungsabfall: Normalerweise 2.5V, der geringe Durchlassspannungsabfall tr?gt dazu bei, Energieverluste zu reduzieren und die Gesamteffizienz des Systems zu verbessern.

• Gate-Ansteuerstrom: Etwa 0.5A, und nur ein kleiner Ansteuerstrom ist erforderlich, um die Einschaltsteuerung des Moduls zu realisieren.

• Betriebstemperaturbereich: -40℃ bis +85℃; Lagerungstemperaturbereich: -40℃ bis +125℃. Der breite Temperaturanpassungsbereich erm?glicht es ihm, unter verschiedenen Umgebungstemperaturen normal zu arbeiten.

• Schutzklasse: üblicherweise IP20, die das Modul vor Eindringen von Fremdk?rpern schützt.

• Kühlungsmethode: Es gibt natürliche Kühlung, Wasserkühlung usw., die je nach tats?chlichen Anwendungsf?llen und W?rmeableitungsanforderungen flexibel gew?hlt werden k?nnen.

• Gesamtabmessungen: L?nge ca. 450mm, Breite ca. 260mm und H?he ca. 260mm. Das Modul hat ein kompaktes strukturelles Design, das die Installation und Anordnung in verschiedenen Ger?ten erleichtert.

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• Schnelle Schaltleistung: Es hat eine extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit und kann Ein- und Ausschaltvorg?nge in sehr kurzer Zeit ausführen, um die Anforderungen von Hochfrequenzanwendungen zu erfüllen und die Stromwandlereffizienz erheblich zu verbessern. Beispielsweise zeigt es sich in Frequenzumrichtern mit extrem hohen Ansprechgeschwindigkeitsanforderungen ausgezeichnet.

• Hohe Spannungs- und Stromtragf?higkeit: Es kann hohe Spannungen und Str?me ertragen und eignet sich für komplexe Hochspannungs- und Hochleistungsumgebungen, wie z. B. Hochspannungsgleichstromübertragung und Antriebe von gro?en industriellen Motoren, um die stabile Funktion des Systems zu gew?hrleisten.

• Geringer Durchlassspannungsabfall: Der geringe Spannungsabfall w?hrend der Leitung reduziert effektiv die Leistungsverluste, verbessert die Energieeffizienz und kann die Energiekosten des Systems bei langfristigem Betrieb senken.

• Hohe Zuverl?ssigkeit: Das Modul verwendet fortschrittliche Verpackungstechnologie und hochwertige Materialien. Es ist robust und langlebig und kann in rauen industriellen Umgebungen (z. B. Hochtemperatur, Hochfeuchtigkeit und starker elektromagnetischer St?rung) stabil arbeiten, was die Ausfallraten und Wartungsfrequenz des Ger?ts reduziert.

• Gute Kompatibilit?t: Es kann gut mit verschiedenen Energiesystemger?ten und unterschiedlichen Schaltungstopologien kompatibel sein. Ob in traditionellen Energiesystemen oder in aufstrebenden Systemen für den Anschluss verteilter Energiequellen, es kann problemlos integriert und zusammenarbeiten.