ABB 3BHB012961R0001 Integrierter Gate-Kommutierter Thyristor

ABB 3BHB012961R0001 ist ein leistungsstarker integrierter Gate-Commutated Thyristor (IGCT)-Modul, der zur ABB 5SHX-Serie geh?rt. Er ist speziell für raue Hochleistung-Anwendungsszenarien entwickelt und integriert geschickt die starke Stromtragf?higkeit von Thyristoren mit den schnellen Schaltcharakteristiken von Transistoren. Er spielt eine Schlüsselrolle im Bereich der Leistungselektronik. Dieser Modul wird in verschiedenen Branchen wie industrieller Automatisierung, Stromversorgungssystemen, Maschinenbau, Metallurgie, Bergbau und Verkehr weit verbreitet eingesetzt. In der industriellen Automatisierung wird er oft in Bereichen wie Motorsteuerung und Lichtsteuerung verwendet; in Stromversorgungssystemen übernimmt er haupts?chlich die Aufgabe der Blindleistungskompensation, um die Betriebseffizienz und Stabilit?t der Stromversorgungssysteme zu verbessern; in Hochspannungsverteilungsnetzen bietet er als Kernkomponente überstrom-, Kurzschluss- und Erdschluss-Schutz für das System und ist eine wichtige Ausrüstung zur Gew?hrleistung einer stabilen Stromversorgung.

Strukturell integriert der 3BHB012961R0001 einen GTO-Chip, eine antiparallele Diode und eine Gate-Treiberschaltung und ist extern auf niederinduktive Weise mit dem Gate-Treiber verbunden. Wenn der Modul im eingeschalteten Zustand ist, ?hnelt sein Betriebsmodus dem eines Thyristors. Durch einen Positivrückkopplungsmechanismus wird eine effiziente übertragung von gro?en Str?men realisiert, was die Eigenschaften einer starken Stromtragf?higkeit und eines geringen Einschaltspannungsabfalls zeigt. Beim Ausschaltvorgang wird die pn-übergang zwischen Gate und Kathode des IGCT vorzeitig in Reverse-Bias geschaltet und tritt aus dem Betrieb aus, und das gesamte Ger?t wechselt in den Transistor-Betriebsmodus. Genauer gesagt, indem der Schalter in Reihe mit der Kathode (üblicherweise ein MOSFET) eingeschaltet wird, wird die P-Basis n-Emitter in Reverse-Bias geschaltet, wodurch die Kathodeninjektion schnell gestoppt wird und der Anodenstrom in kurzer Zeit (üblicherweise innerhalb von 1μs) in den Gate-Strom umgewandelt wird. Dadurch wird der GTO in einen PNP-Transistor mit einem berührungslosen Basisbereich umgewandelt, wodurch der Kathodenemitter-Shrinkage-Effekt eliminiert wird, so dass der maximale Ausschaltstrom weit über den Nennstrom herk?mmlicher GTOs liegt. Darüber hinaus kann, da der IGCT bei einer Verst?rkung nahe 1 abschaltet, die Schutz-Snubber-Schaltung weggelassen werden.

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• Nennspannung: Im Allgemeinen 2600V (kann in verschiedenen Anwendungsszenarien und Versionen variieren), mit ausgezeichneter Hochspannungsfestigkeit, die die Anwendungsanforderungen von Mittel- und Hochspannungs-Stromversorgungssystemen erfüllt.

• Nennstrom: Bis zu 2645A, und einige Daten zeigen, dass er bis zu 4500A erreichen kann. Seine starke Stromtragf?higkeit erm?glicht es ihm, die Betriebsanforderungen von Hochleistungseinrichtungen zu erfüllen.

• Spitzen-Forward-Strom: Etwa 4000A, was die sichere und stabile Funktion des Moduls beim Umgang mit momentanen Hochstromst??en gew?hrleisten kann.

• Einschaltspannungsabfall: Normalerweise 2.5V. Der niedrige Einschaltspannungsabfall tr?gt dazu bei, den Energieverlust zu reduzieren und die Gesamteffizienz des Systems zu verbessern.

• Gate-Triggerstrom: Etwa 0.5A, und nur ein kleiner Triggerstrom ist erforderlich, um die Einschaltsteuerung des Moduls zu realisieren.

• Betriebstemperaturbereich: -40℃ bis +85℃; Lagerungstemperaturbereich: -40℃ bis +125℃. Der breite Temperaturanpassungsbereich erm?glicht es ihm, unter verschiedenen Umgebungstemperaturen normal zu arbeiten.

• Schutzgrad: üblicherweise IP20, das einen gewissen Schutz für den Modul bietet, um das Eindringen von Fremdk?rpern zu verhindern.

• Kühlmethode: Es gibt natürliche Kühlung, Wasserkühlung usw., die je nach tats?chlichen Anwendungsszenarien und W?rmeableitungsanforderungen flexibel gew?hlt werden k?nnen.

• Gesamtabmessungen: Etwa 450mm L?nge, 260mm Breite und 260mm H?he. Der Modul hat ein kompaktes strukturelles Design, das die Installation und Anordnung in verschiedenen Ger?ten erleichtert.

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• Schnelle Schaltleistung: Er hat eine extrem schnelle Schaltgeschwindigkeit und kann Einschalt- und Ausschaltvorg?nge in sehr kurzer Zeit ausführen, um die Anforderungen von Hochfrequenz-Anwendungsszenarien zu erfüllen und die Leistungswandlungseffizienz erheblich zu verbessern. Beispielsweise zeigt er in Frequenzumrichter-Systemen mit extrem hohen Ansprechgeschwindigkeitsanforderungen eine hervorragende Leistung.

• Hochspannungs- und Hochstrom-Tragf?higkeit: Er kann hohe Spannungen und gro?e Str?me ertragen und eignet sich für komplexe Hochspannungs- und Hochleistung-Elektroumgebungen, wie z. B. Hochspannungs-Gleichstromübertragung und gro?e industrielle Motortriebsysteme, um die stabile Funktion des Systems zu gew?hrleisten.

• Niedriger Einschaltspannungsabfall: Der niedrige Spannungsabfall w?hrend der Leitung reduziert effektiv den Leistungsverlust, verbessert die Energieausnutzungseffizienz und kann die Systemenergieverbrauchskosten w?hrend des langfristigen Betriebs reduzieren.

• Hohe Zuverl?ssigkeit: Unter Verwendung fortschrittlicher Verpackungstechnologie und hochwertiger Materialien ist der Modul robust und langlebig und kann in rauen industriellen Umgebungen (z. B. hoher Temperatur, hoher Luftfeuchtigkeit und starker elektromagnetischer St?rung) stabil arbeiten, wodurch die Ausfallraten der Ger?te und die Wartungsfrequenz reduziert werden.

• Gute Kompatibilit?t: Er kann gut an verschiedene Stromversorgungssystem-Ger?te und verschiedene Schaltungstopologien angepasst werden. Ob es sich um ein traditionelles Stromversorgungssystem oder ein neuartiges verteiltes Energieeinspeisesystem handelt, kann es problemlos integriert und gemeinsam arbeiten.