SG01S-C5 УФ-фотодиод на основе SiC только для УФ-С с стандартом DVGW W294

SG01S-C5

УФ-фотодиод на основе SiC только для УФС диапазона A = 0.06 мм2

◆ УФ-фотодиод SG01S-C5 Общие характеристики

Свойства УФ-фотодиода SG01S-C5
? Чувствительность только в УФС диапазоне, соответствует DVGW W294, PTB сообщает о высокой стабильности чипа
? Активная площадь A = 0.06 мм2
? Герметически запечатанный металлический корпус TO5, 1 изолированный вывод и 1 вывод корпуса
? Пиковое излучение 10 мВт/см2 вызывает ток примерно 720 нА

О материале карбид кремния (SiC)
SiC обладает уникальным свойством высокой радиационной стойкости, практически полной слепоты к видимому свету, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC наилучшим доступным материалом для полупроводниковых УФ-датчиков, слепых к видимому свету. Датчики на основе SiC могут работать постоянно при температурах до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительности) также низкий, <0,1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably. 

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2. Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded).

◆ SG01S-C5 UV photodiode Specifications