SG01XL-B5 Однофункциональный УФ-фотодиод на основе SiC с УФВ-излучением

SG01XL-B5

УФ-фотодиод на основе SiC только для УФВ, A = 7,6 мм2

◆ УФ-фотодиод SG01XL-B5 Общие характеристики

Свойства УФ-фотодиода SG01XL-B5

? Чувствительность только к УФВ, ПТБ сообщает о высокой стабильности чипа
? Активная площадь A = 7,6 мм2
? Герметичное металлическое исполнение TO5, 1 изолированный вывод и 1 вывод корпуса
? Пиковое излучение 10 мкВт/см2 дает ток примерно 95 нА

О материале карбид кремния (SiC)
SiC обладает уникальным свойством крайне высокой радиационной стойкости, практически полной слепотой для видимого света, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC наилучшим доступным материалом для полупроводниковых УФ-детекторов, слепающих для видимого света. Детекторы на основе SiC могут работать постоянно при температуре до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительности) также низкий, <0.1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably.

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2. Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded).

◆ SG01XL-B5 UV Photodiode Specifications