
- Homray Material Technology
-
Suzhou, Jiangsu, China
- Основные продукты: Производители подложек GaN , Поставщики пластины GaN , Производители пластины GaN на сапфире , Производители подложек SiC , Поставщики пластины SiC , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на Si , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на SiC , Поставщики эпитаксиальной пластины GaN на кремнии
Главная > Продукты > Силицид-карбидный кристаллический диск > Экономичные 200 мм кристаллические пластины из карбида кремния (SiC) от поставщика: оптимизированы для быстрой изготовления приборов
Экономичные 200 мм кристаллические пластины из карбида кремния (SiC) от поставщика: оптимизированы для быстрой изготовления приборов
- SHANGHAI
- T/T
- 30 days
Вам может понравиться
-
4 дюйма 6 дюймов 8 дюймов Субстраты для эпитаксии из карбида кремния (SiC). Производитель: превосходное качество поверхности и равномерность
-
HEMT GaN на SiC для производителей мощных полупроводниковых пластин
-
Тестовый сорт кремниевой пластины диаметром 8 дюймов
-
Производитель высококачественных односторонне полированных кремниевых пластиков
-
Поставщик полупроводникового монокристаллического кремниевого пластина диаметром 8 дюймов
-
Поставщик монокристаллических кремниевых пластины P-типа с односторонней полировкой
Описание продукта
Улучшите эффективность батареи электромобиля с помощью наших низкоомных кристаллических пластин из карбида кремния (SiC). Оптимизированные для производства SiC MOSFET и диодов, эти подложки из SiC обеспечивают на 20% более высокую теплоотдачу, чем стандартные альтернативы. Компания HMT предлагает кристаллические пластины размером от 2 до 8 дюймов с доставкой по всему миру в течение 3 - 5 рабочих дней с помощью FedEx.
Гипермасштабные дата-центры переходят на использование кристаллических пластин из SiC для снижения показателя PUE (эффективность использования электроэнергии) в 48-волтных DC-системах электропитания. Сервера Google с блоками питания на основе SiC достигают эффективности 98% при 50% нагрузке, экономя 10 ТВт·ч в год к 2030 году. Обратный ток восстановления материала (близкий к нулю) сводит к минимуму потери на переключение в трехфазных системах ИБП. По мере того, как нагрузки на искусственный интеллект поднимут глобальный спрос на электроэнергию дата-центров до 1000 ТВт·ч к 2026 году, роль SiC в сокращении потерь энергии станет незаменимой.
Свяжитесь с нами
- Homray Material Technology
- Имя контактаTina Chang Начать чат
- Телефон86-512-67078567
- Адрес60 Suli Road, Suzhou, Jiangsu
Категории товаров
Кремниевые пластины | Силицид-карбидный кристаллический диск | Галлийнитрид |
Новые продукты
-
Вафер из карбида кремния
-
Производитель пластиковых пластин на основе карбида кремния. Поставщик пластиковых пластин SiC N-типа и P-типа
-
Исследование пластины карбида кремния
-
2-дюймовые самонесущие пластины GaN Пластина нитрида галлия
-
Вафель из нитрида галлия высокой чистоты
-
2-дюймовая фиктивная кремнийуглеродистая пластина для тестирования подложной пластины SiC
-
Производитель свободностоящих пластинок GaN
-
Производитель эпитаксиальных пластиков на основе карбида кремния
-
Производитель пластиковых пластин из карбида кремния и эпитаксиальных пластиковых пластин SiC
-
Представляем эпитаксиальные пластины карбида кремния 4HN диаметром 150 мм
-
Homray Material Technology - Китайский поставщик пластины карбида кремния
-
Вафли из карбида кремния
-
Продукты на основе пластины карбида кремния. Производитель подложек SiC.
-
Вафель из карбида кремния для университетских исследований
-
Поставщик вафелей GaN
-
Поставщик шаблонов на основе нитрида галлия размером 4 дюйма
-
Полированный кремниевый пластик, производитель тестовых кремниевых пластин
-
Поставщик первичных кремниевых пластинах для полупроводников
-
Производитель эпитаксиальной структуры GaN на кремниевых пластинах для радиочастотных устройств
-
Производитель подложек GaN и эпитаксиальных пластины GaN для HEMT
-
Производитель подложек GaN и эпитаксиальных пластины GaN для HEMT
-
Поставщик эпитаксиальных пластиков GaN на карбиде кремния
-
Поставщик эпитаксиальных пластины нитрида галлия на сапфировой подложке
-
Фабрика подложек из карбида кремния 4H-N диаметром 2 дюйма
Популярные поиски
- Переключающий тиристор SCR
- Управляемый тиристор SCR
- Субстрат из карбида кремния , пластина SiC
- Термоэлектрический генераторный модуль
- Термоэлектрический чип
- Ic Wafer
- Линейный излучатель
- Полупроводники
- Электронный компонент, полупроводник
- И Vishay Mosfet
- Как Vishay Mosfet
- Выпрямительные блоки
- Микрокапсула
- 2 дюймовый кристалл
- Измерения Ic
- Контроллер питания IC
- Блок высокого напряжения
Рекомендуемые продукты
- HEMT GaN на SiC для производителей мощных полупроводниковых пластин
- SAMSUNG (Samsung Semiconductor) KLMCG2UCTB-B041 BGA
- SAMSUNG (Samsung Semiconductor) KLM8G1GETF-B041 Пакет FBGA
- SiliconGo (Silicon Grid) SGM8000C-S27B8G Первоклассный агент, оригинал, подлинный товар
- TI (Texas Instruments) OB (Anbao) OB5282ACPA контроллер AC-DC Регулятор напряжения
- onsemi (ON Semi) FDV304P полевой транзистор (МОП-транзистор) SOT-23 Микроконтроллер
- onsemi (ON Semi) драйвер светодиодов NCL30160DR2G, поставка от дилера
- ADUM130E0BRWZ-RL чип питания DC-DC, преобразователь данных с изоляцией ADI (Adno)
- ADI AD9273BBCZ-40 чип источника питания DC-DC Двунаправленный, бескриволинейный, усилитель измерения тока
- Плата блока управления H807ADPM H83DVCMM H807ADPE H831CCUC H835VDSH
- Плата блока управления MA5600T MA5603T TN54TOA MA5608T H807GPBH H901XGSF
- Полупроводник TCM29C14DWR UCN5801 TLC27L2IP PHB11N03LT PF28FSDC66 TLA6M103T TOP414PN TPS2226DBR TD1501SADJ W25Q16BVSSID THS3122IDDA TCM810RVNB
Найти похожие продукты по категории
- Электрические и электронные товары > Полупроводник > Внутренний полупроводник
- Please Enter your Email Address
- Please enter the content for your inquiry.
We will find the most reliable suppliers for you according to your description.
Send Now-
Tina Chang
Привет! Добро пожаловать в мой магазин. Сообщите, если у вас есть вопросы.
Ваше сообщение превысило лимит.

- Свяжитесь с поставщиком для получения наименьшей цены
- Персонализированный запрос
- Запросить образец
- Запросить Бесплатные Каталоги
Ваше сообщение превысило лимит.
-
Количество покупки
-
*Детали закупок
Содержание вашего запроса должно быть от 10 до 5000 символов.
-
*Электронная почта
Пожалуйста, введите свою действительную адрес электронной почты.
-
Мобильный