Поставщик пластины-подложки SiC диаметром 8 дюймов типа 4H-N 4H-Si

Ищете производителя и поставщика 8-дюймовых пластин кремния карбида в Китае? Вы можете связаться с компанией HMT, которая производит высококачественные 8-дюймовые подложки SiC как типа 4H-N, так и типа 4H-HPSI. Мы предлагаем вам лучшие цены на подложки SiC на рынке. Кроме того, мы поддерживаем индивидуальное изготовление пластин SiC в соответствии с вашими требованиями.

Производство подложек SiC представляет собой сложный процесс, что является основной причиной высокой стоимости. Контроль термического поля и контроль затравки являются весьма важными, но можно лишь проводить собственную металлургическую обработку, изучать технологический процесс и одновременно практиковаться в его осуществлении.

Эффективность выращивания кристаллов SiC в 100-200 раз ниже, чем у кремния. Для кремния выращивание кристаллов занимает около 3 дней для получения кристаллической штанги высотой 200 см, а для SiC требуется 7 дней для выращивания кристаллической шарика диаметром 2-5 см. Кроме того, SiC твердый и хрупкий, а сложность резки, шлифования и полировки высокая, что приводит к большому количеству отходов.