Beijing Rofea Optoelectronics Co, Ltd: Beijing, China; Основные продукты: интенсивность модулятора, фазовый модулятор, УСВО, оптический усилитель, фотодетектор, лазерный источник, электрооптический модулятор, лазерный модуль, ДФБ лазер, SLD лазер, ASE лазер, балансированный фотодетектор

Главная
Категории товаров

модулятор интенсивности

модулятор фазы

y-волноводный модулятор

Оптический модуляционный передатчик

контроллер смещения

микроволновый усилитель

Фотоэлемент

лазерный модуль (лазерный источник света)

RF Over Fiber Link

Электрооптический модулятор
Профиль компании

Презентация компании

Фотогалерея
Контроль качества
Свяжитесь с нами

Главная > Продукты > Фотоэлемент > ROF-PR Высокоскоростной фотодетектор InGaSn с низким уровнем шума ПИН-фотоприемник Фотодетектор на основе кремния

ROF-PR Высокоскоростной фотодетектор InGaSn с низким уровнем шума ПИН-фотоприемник Фотодетектор на основе кремния

Цена FOB

US$ 999 - 1999 / Unit

1 Unit(Мин.заказ)

Условия оплатыT/T

Запросить образец Персонализированный запрос Запросить Бесплатные Каталоги

Свяжитесь сейчас

Получить наименьшую цену

Детали продукта

Название бренда	Rofea		Место производства	China
Модельный номер	ROF-PR

Описание продукта

Пожалуйста, не оплачивайте. И свяжитесь с нами для получения последних цен!!!
Краткое описание:

Модуль высокоскоростного светового обнаружения ROF Оптический детектор использует высокопроизводительный 50ГГц PIN-детектор, входное сопряжение с одномодовыми/мультимодовыми волоконными световодами, выходное сопряжение SMA, обладает высоким усилением, высокой чувствительностью, выходом с постоянным током/переменным током, плоским усилением и другими характеристиками, применяется в основном в высокоскоростных системах оптической передачи по волоконному световоду, системах ROF и оптических волоконных сенсоров и других областях

Характеристики

Спектральный диапазон: Si: 320-1000 нм, InGaSn 850-1650 нм

3 дБ полоса пропускания: ~1 ГГц

Низкий уровень шума

Возможность выбора между оптической связью по волоконному световоду и свободным пространством

Применение:

Обнаружение слабых световых сигналов

Гетеродинное обнаружение

Параметры производительности

Модель	Диапазон длин волн	Полоса пропускания на уровне 3 дБ	Фоточувствительная поверхность	Коэффициент усиления В/Вт	NEP пВт/Гц^1/2	Выходной разъем
PR-200K	800-1700 нм	Постоянный ток - 200 кГц	75мкм		0.9	SMA(f)
PR-200K	300-1100 нм	Постоянный ток - 200 кГц	200мкм		1.8
PR-10M	800-1700нм	DC-10МГц	75мкм		1.5
PR-10M	300-1100нм	DC-10МГц	200мкм		5
PR-200M	800-1700нм	DC-200МГц	75мкм		10
PR-200M	300-1100 нм	DC-200МГц	200μm		20
PR-500M	800-1700 нм	DC-500МГц	75μm		18
PR-500M	300-1100 нм	DC-500МГц	200μm		36
PR-1G	800-1700 нм	50К-1ГГц	75μm		25
PR-1G	300-1100nm	50К-1ГГц	200μm	500	50

Свяжитесь с нами

Beijing Rofea Optoelectronics Co, Ltd: Имя контактаVicky Xiang
Начать чат; Телефон86-180-74907284

*Электронная почта
Пожалуйста, введите свою действительную адрес электронной почты.
*К

Vicky Xiang
*Сообщение
Содержание вашего запроса должно быть от 20 до 5000 символов.
Пожалуйста, введите правильный код подтверждения.

Категории товаров

модулятор интенсивности	модулятор фазы	y-волноводный модулятор	Оптический модуляционный передатчик
контроллер смещения	микроволновый усилитель	Фотоэлемент	лазерный модуль (лазерный источник света)
RF Over Fiber Link	Электрооптический модулятор

Больше

ROF-PR Высокоскоростной фотодетектор InGaSn с низким уровнем шума ПИН-фотоприемник Фотодетектор на основе кремния

Вам может понравиться

Детали продукта

Описание продукта

Свяжитесь с нами

Категории товаров

Новые продукты

Популярные поиски

Рекомендуемые продукты

Найти похожие продукты по категории

Тэги продукта: