- Shenzhen Kexinxin Technology Co., Ltd.
-
Shenzhen, Guangdong, China
- Основные продукты: Интегральные схемы, Танталовый конденсатор, МОП-транзистор, Кварцевый резонатор, Диоды
Главная > Продукты > MOSFET > SI2337DS-T1-E3 Vishay Semiconductors МОС-транзистор -80В Vds 20В Vgs корпус SOT-23
SI2337DS-T1-E3 Vishay Semiconductors МОС-транзистор -80В Vds 20В Vgs корпус SOT-23
- 2147483647 Piece / Pieces в месяц
- Shenzhen
- T/T L/C D/P D/A Кредитная карта PayPal Наличные деньги
Вам может понравиться
-
SI7997DP-T1-GE3 Vishay Semiconductors МОС-транзистор -30В Vds
-
SMT-R050-1.0 RES 0
-
SSM3J332R,LF МОС-транзистор SM Sig P-CH МОС 12В VGSS -6А -30В DSS Toshiba
-
TAJB106M016RNJ KYOCERA Танталовые конденсаторы - сплошной SMD
-
THC63LVDM83R С УМЕНЬШЕННЫМ НАПРАВЛЕННОСТЬЮ LVDS
-
TL431LIBEDBZRQ1 Texas Instruments Референсные напряжения для автомобилей, регулируемый, высокоточный шунтирующий регулятор с оптимизированным током опорного элемента, корпус 3-SOT-23, диапазон температур от -40 до 150
Детали продукта
| Название бренда | Vishay Semiconductors | Место производства | China | |
| Модельный номер | SI2337DS-T1-E3 | Тип | Другое, MOSFET | |
| Тип упаковки | Монтаж на поверхности |
Описание продукта
Factory
Зав. №:
SI2337DS-T1-E3
Производитель: Vishay
Категория продукта: MOSFET
RoHS: Детали
Технология: Si
Способ монтажа: SMD/SMT
Корпус: SOT-23-3
Полярность транзистора: P-канальный
Количество каналов: 1 канал
Vds - Напряжение пробоя между истоком и стоком: 80 В
Id - Постоянный ток стока: 2,2 А
Rds On - Сопротивление между истоком и стоком: 270 мОм
Vgs - Напряжение между затвором и истоком: - 20 В, + 20 В
Vgs th - Пороговое напряжение между затвором и истоком: 2 В
Qg - Заряд затвора: 17 нКл
Минимальная температура работы: - 50 °С
Максимальная температура работы: + 150 °С
Pd - Рассеяние мощности: 2,5 Вт
Режим канала: Усилительный
Торговое название: TrenchFET
Серия: SI2
Упаковка: Рулон
Упаковка: Листовая лента
Упаковка: KXXReel
Бренд: Vishay Semiconductors
Конфигурация: Одиночная
Время спада: 12 нс
Передняя транскондуктивность - мин.: 4.3 С
Высота: 1.45 мм
Длина: 2.9 мм
Тип продукта: MOSFET
Время нарастания: 15 нс
Количество в заводской упаковке: 3000
Подкатегория: MOSFETы
Тип транзистора: 1 P-канальный
Типичное время задержки отключения: 20 нс
Типичное время задержки включения: 10 нс
Ширина: 1.6 мм
Алиасы номера детали: SI2337DS-T1-BE3 SI2337DS-E3
Вес одной единицы: 0.000282 унции
Свяжитесь с нами
- Shenzhen Kexinxin Technology Co., Ltd.
- Имя контактаAaron Lin Начать чат
- Телефон86-0755-23617721
- АдресFutian, Shenzhen, Guangdong
Категории товаров
Новые продукты
-
TP4055 заряжатель линейного литий-ионного аккумулятора мощностью 500 мА Top Power
-
TP4057 500 мА линейный зарядный устройств для литий-ионных батарей Top Power
-
UB2-4.5NUN-L Реле общего назначения KEMET
-
W5500 WIZnet контроллеры Ethernet ICs 3в1 Ethernet-контроллер TCP/IP +MAC+PHY
-
WPF12A1B Wayon 36 вольт 12 ампер SMD
-
XC61CN3302MR Torex Semiconductor Контрольные схемы. Детектор напряжения 3,3 В, корпус SOT-23
-
XC6206P332MR-G Torex Semiconductor Регуляторы напряжения LDO, низкий потребление тока покоя 1 мкА, трехконтактный, совместим с конденсаторами низкого эквивалентного последовательного сопротивления, регулятор напряжения
-
SS34 onsemi / Fairchild Шотткиевые диоды и выпрямители 3 А 40 В выпрямительный шотткиевский барьер
-
1N4002-E3/54 Vishay General Semiconductor Rectifiers Vr/100В Io/1А
-
1N5819W-T RECTRON Шотткиев диоды и выпрямители, корпус SOD-123, 1 А, 40 В, шотткиев
-
STP5N105K5 STMicroelectronics MOSFET N-канальный, 1050 В, 2,9 Ом типовой, 3 А MDmesh K5 силовые MOSFET в корпусе TO-220
-
CUHZ6V8,H3F Диоды Ценера Toshiba 6,8 В, диод Ценера, SOD-323HE(US2H) Pd(max):1,2 В
-
MOV-07D471KTR Варситоры Bourns
-
Многошаровый керамический чип-конденсатор высокой температуры C2012X8R1C105K125AB в наличии
-
CA-IS3642HW Новые и оригинальные интегральные схемы IC
-
Интегральная схема электронной импульсной памяти CAT24C256WI-GT3
-
Общего назначения керамический конденсатор CC45SL3FD330JYNNA 33 пФ 3 кВ
-
Интегральная микросхема чипа ИК. Микросхемы коммутатора мультиплексора ICs CD4051BPWR в наличии.
-
Оригинальная интегральная схема CJ78L05 SOT-89 Трипольный положительный стабилизатор напряжения
-
SOT-23 Пластиковая герметизированная структура МОП-транзисторов CJ2309A
-
Высококачественные транзисторы CJ3407 SOT-23. Новые и оригинальные транзисторы.
-
VS-8TQ080-M3 Vishay Semiconductors Шотткиевые диоды и выпрямители 80 В 8 А IF одиночный в корпусе TO-220AC
-
VS-8TQ100-M3 Vishay Semiconductors Шотткий-диоды и выпрямители 100 В 8 А IF одиночный TO-220AC
-
STB21N90K5 STMicroelectronics МОП-транзистор N-канальный 900 В 0
Популярные поиски
Рекомендуемые продукты
- Модуль SIC KHS03RS12B7P1
- Трансформатор
- NCE N-канальный сверхканавый II силовой МОП-транзистор NCEP035N85GU
- NCE 1200В, 100А, Trench FS II Быстрый IGBT NCE100TD120VTP
- NCE N-канальный усилительный режим силовой МОП-транзистор NCE40H29D
- NCE N-канальный сверхканавый силовой МОП-транзистор NCEP01ND35AG
- NCE N-канальный сверхканавый силовой МОП-транзистор NCEP025F90T
- NCE N-канальный сверхканавый силовой МОП-транзистор NCEP85T16
- NCE N-канальный сверхтраншеевый II силовой МОП-транзистор NCEP026N10
- NCE P-канальный усилительный режим силовой МОП-транзистор NCE2301E
- NCE P-канальный усилительный режимный силовой МОП-транзистор NCE2301D
- NCE P-канальный усилительный режим силовой МОП-транзистор NCE2301C
Найти похожие продукты по категории
- Электрические и электронные товары > Электронные лампы и транзисторы > Триод
Тэги продукта:
Shenzhen Kexinxin Technology Co., Ltd.
Лицензия на ведение бизнеса
- Please Enter your Email Address
- Please enter the content for your inquiry.
We will find the most reliable suppliers for you according to your description.
Send Now-
Aaron Lin
Добро пожаловать в мой магазин. Я рад вам обслуживать. Не стесняйтесь задавать мне любые вопросы.
Ваше сообщение превысило лимит.
- Свяжитесь с поставщиком для получения наименьшей цены
- Персонализированный запрос
- Запросить образец
- Запросить Бесплатные Каталоги
Ваше сообщение превысило лимит.
-
Количество покупки
-
*Детали закупок
Содержание вашего запроса должно быть от 10 до 5000 символов.
-
*Электронная почта
Пожалуйста, введите свою действительную адрес электронной почты.
-
Мобильный