3BUP001190R1 CI532V09 Ethernet-подмодуль

3BUP001190R1 CI532V09

3BUP001190R1 CI532V09

IGCT является_db_3 новым_db_3 типом_db_3 силового_db_3 полупроводникового_db_3 коммутирующего_db_3 устройства_db_3 (Интегрированный_db_3 затворно-коммутируемый_db_3 тиристор_db_3 =_db_3 затворно-коммутируемый_db_3 тиристор_db_3 +_db_3 схема_db_3 управления_db_3 затвором),_db_3 разработанным_db_3 для_db_3 использования_db_3 в_db_3 средненеприводных_db_3 инверторах_db_3 в_db_3 крупных_db_3 силовых_db_3 электронных_db_3 комплексах._db_3 Преобразовательные_db_3 устройства_db_3 по_db_3 показателям_db_3 мощности,_db_3 надежности,_db_3 скорости_db_3 коммутации,_db_3 эффективности,_db_3 стоимости,_db_3 веса_db_3 и_db_3 объема_db_3 представляют_db_3 новый_db_3 прорыв_db_3 в_db_3 силовых_db_3 электронных_db_3 комплексах._db_3 IGCT_db_3 представляет_db_3 собой_db_3 чип_db_3 GTO,_db_3 интегрированный_db_3 с_db_3 антипараллельной_db_3 диодом_db_3 и_db_3 схемой_db_3 управления_db_3 затвором,_db_3 затем_db_3 подключенный_db_3 к_db_3 схеме_db_3 управления_db_3 затвором_db_3 с_db_3 низкой_db_3 индуктивностью_db_3 на_db_3 периферии,_db_3 объединяющий_db_3 преимущества_db_3 стабильной_db_3 коммутирующей_db_3 способности_db_3 транзистора_db_3 и_db_3 низких_db_3 потерь_db_3 в_db_3 включенном_db_3 состоянии_db_3 тиристора._db_3 IGCT_db_3 характеризуется_db_3 высоким_db_3 током,_db_3 высоким_db_3 напряжением_db_3 блокировки,_db_3 высокой_db_3 частотой_db_3 коммутации,_db_3 высокой_db_3 надежностью,_db_3 компактной_db_3 конструкцией_db_3 и_db_3 низкими_db_3 потерями_db_3 проводимости,_db_3 а_db_3 также_db_3 низкой_db_3 стоимостью_db_3 и_db_3 высоким_db_3 коэффициентом_db_3 выхода._db_3 IGCT_db_3 успешно_db_3 используются_db_3 в_db_3 средненеприводных_db_3 инверторах_db_3 в_db_3 течение_db_3 11_db_3 лет_db_3 (до_db_3 2009_db_3 года)_db_3 в_db_3 установках_db_3 электросетей_db_3 силовой_db_3 системы_db_3 (100_db_3 МВА)_db_3 и_db_3 среднемощных_db_3 промышленных_db_3 приводах_db_3 (5_db_3 МВт).

Силовые электронные устройства (Power Electronic Device), также известные как силовые полупроводниковые устройства, используются для преобразования электрической энергии и электрических цепей управления энергией в высокосиловых (обычно это означает ток от десятков до тысяч ампер, напряжение сотни вольт или более) электронных устройствах. Можно разделить на полууправляемые устройства, полностью управляемые устройства и неуправляемые устройства, включая тиристор для полууправляемых устройств, с высокой стойкостью к напряжению и высокой пропускной способностью по току среди всех устройств; силовой диод для неуправляемых устройств, с простой структурой и принципом действия, надежной работой; также можно разделить на устройства, управляемые напряжением, и устройства, управляемые током, включая GTO, GTR для устройств, управляемых током, IGBT, силовой MOSFET для устройств, управляемых напряжением.

Xiamen Xiongba Electronic Commerce Co. LTD

FROM:Mr. Wei

E-Mail:2322181769@qq.com

TEL/WeChat:15396237607

5SHX0445D0001????
3BHL000462R0020???
3BHL000181P0001????
3BHL000495P0003?????
3BHL000259P0001?????
3BHL000382P0101???
?
5SHY 3545L0006 IGCT MODULE
5SHX2645L0002 IGCT RC MODULE 91
IGCT MODULE 5SHY 3545L0009
5SHY 3545L0010 IGCT MODULE
?
5SHX 1960L0005, 91mm RC-IGCT
RC-IGCT 5SHX 1960L0006, 91MM GVC736
5SHX 0660F0002, 51MM RC-IGCT
5SHY 4045L0001 IGCT MODULE
5SHX 1060H0003, 68MM RC-IGCT
IGCT MODULE 5SHY 3545L0016, 4500V, 91MM
IGCT 4500V, 91MM, 5SHY 4045L0003
4500V, 91MM, 5SHY 4045L0004GVC736 IGCT
TRIC IGCT 5SHY5055L0002 5.5KV 91MM
IGCT 4500V, 91MM, 5SHY 3545L0014
IGCT MODULE 5SHY 3545L0014, 4500V, 91MM
IGCT REPLACEMENT TOOL IGCT

HL000181R0001 2 PCS IGCT?
5SHX0445D0001 IGCT
5SHX0445D0001 IGCT
5SHX0360D0001 IGCT?
5SHX0445D0001

Если вам нужно узнать информацию или купить ,пожалуйста отправьте модели продуктов на мой электронный адрес или позвоните мне прямо .

Контактная информация:Мобильный/ WeChat/ WhatsApp:+86-15396237607

E-mail:2322181769@qq.com

QQ: 2322181769