SG01D-C18 УФ-фотодиод на основе SiC только с УФС с стандартом DVGW W294

SG01D-C18
УФ-фотодиод на основе SiC только для УФС диапазона A = 0,50 мм2

◆ УФ-фотодиод SG01D-C18 Общие характеристики

Свойства УФ-фотодиода SG01D-C18
? Чувствительность только в УФС диапазоне, соответствует DVGW W294, PTB сообщает о высокой стабильности чипа
? Активная площадь A = 0,50 мм2
? Герметически закрытый металлический корпус TO18, 1 изолированный вывод и 1 вывод корпуса
? Пиковое излучение 10 мкВт/см2 приводит к току примерно 6 нА

О материале карбид кремния (SiC)
Карбид кремния обладает уникальным свойством крайне высокой радиационной стойкости, почти полной слепоты для видимого света, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC наилучшим доступным материалом для полупроводниковых УФ-детекторов, слепых для видимого света. Детекторы на основе SiC могут работать постоянно при температурах до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительности) также низкий, <0,1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably. 

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2. Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded).

◆ SG01D-C18 UV Photodiode Specifications