SG01S-5 Широкополосный УФ-фотодиод на основе SiC A = 0.06 мм2

SG01S-5

Широкополосный ультрафиолетовый фотодиод на основе SiC A = 0.06 мм2

◆ Ультрафиолетовый фотодиод SG01S-5 Общие характеристики

Свойства ультрафиолетового фотодиода SG01S-5

? Широкополосный UVA+UVB+UVC, PTB сообщает о высокой стабильности чипа
? Активная площадь A = 0.06 мм2
? Герметичное металлическое исполнение TO5, короткая крышка, 1 изолированный р
? Пиковое излучение 10 мВт/см2 дает ток примерно 780 нА

О материале карбид кремния (SiC)
SiC обладает уникальным свойством чрезвычайной радиационной стойкости, практически полной слепоты для видимого света, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC наилучшим доступным материалом для полупроводниковых ультрафиолетовых детекторов, слепых к видимому свету. Детекторы на основе SiC могут работать постоянно при температуре до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительность) также низкий,<0.1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably. 

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2 Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded).

◆ SG01S-5 UV Photodiode Nomenclature

◆ SG01S-5 UV Photodiode SpecIfication