Ультрафиолетовый фотодиод на основе SiC SG01D-5LENS

SG01D-5LENS

??Концентраторный линз на основе SiC ультрафиолетовый фотодиод Avirtual = 11.0 мм2??

◆ SG01D-5Lens Ультрафиолетовый фотодиод на основе SiC Основные характеристики

Свойства ультрафиолетового фотодиода SG01D-5LENS
? Широкополосный UVA+UVB+UVC, PTB сообщает о высокой стабильности чипа, для обнаружения пламени
? Радиационно-чувствительная площадь A = 11.0 мм2
? Герметически закрытый металлический корпус TO5 с концентраторным линзом, 1 изолированный вывод и 1 вывод корпуса
? Пиковая радиация 10 мкВт/см2 приводит к току примерно 350 нА

О материале карбид кремния (SiC)
SiC обладает уникальным свойством крайне высокой радиационной стойкости, практически полной слепотой для видимого света, низким темновым током, высокой скоростью и низким уровнем шума. Эти характеристики делают SiC наилучшим доступным материалом для полупроводниковых ультрафиолетовых детекторов, слепых к видимому свету. Детекторы на основе SiC могут работать постоянно при температуре до 170°C (338°F). Температурный коэффициент сигнала (чувствительность) также низкий, <0.1%/K. Because of the  low noise (dark current  in the fA range), very  low UV radiation intensities can be measured reliably. 

Options 
SiC photodiodes are available with seven different active chip areas from 0.06 mm2 up to 36 mm2 Standard version is broadband UVA-UVB-UVC. Four fltered versions lead to a tighter sensitivity range. All photodiodes have a hermetically sealed metal housing (TO type), either a 5.5 mm diameter TO18 housing or a 9.2 mm TO5 housing. Further option is either a 2 pin header (1 isolated, 1 grounded) or a 3 pin header (2 isolated, 1 grounded).

◆ SG01D-5Lens SiC UV Photodiode Nomenclature

?

◆ SG01D-5Lens SiC UV Photodiode Specifications?